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碳化硅MOSFET电源集成规模-iDriver达到AEC-Q 100汽车认证

通过将规模控制和安全特性与其高速flidlink™通信技术相结合,功率集成技术与光隔离、容性磁耦合器或硅隔离磁耦合器相比,在栅极驱动集成电路技术上带来了一场革命。

电源集成(纳斯达克市场代码:POWI)是中高压逆变器应用的栅极驱动技术的领先者,今天宣布,其SIC118xKQ标度-iDriver™,一种用于碳化硅(SiC)MOSFETs的高效单通道栅驱动器,现已被认证为汽车用AEC-Q 100。器件可以配置为支持通常使用的SiC MOSFET的栅极驱动电压要求,并具有复杂的安全和保护功能。

 

Power Integrations’ SCALE-iDriver for SiC MOSFETs Achieves AEC-Q100 Automotive Qualification
碳化硅MOSFET电源集成规模-iDriver达到AEC-Q 100汽车认证

 

SIC1182KQ(1200 V)和SIC1181KQ(750 V)规模iDriver器件用于驱动SiC MOSFET在汽车上的应用、显示轨对轨输出、快速栅极开关速度、支持正负输出电压的单极电源电压、集成电源和电压管理以及强化隔离。关键的安全特性包括对源电压(VDS)的监测、读出、一次和二次欠压锁定(UVLO)、限流栅极驱动和高级有源箝位(AAC),这有助于故障条件下的安全操作和软关闭。AAC与VDS监控相结合,确保在短路情况下,在小于2秒的范围内安全关闭。栅极驱动控制和AAC功能使栅极电阻最小化;这减少了开关损耗,最大限度地提高了逆变器的效率。

通过将规模控制和安全特性与其高速flidlink™通信技术相结合,功率集成技术与光隔离、容性磁耦合器或硅隔离磁耦合器相比,在栅极驱动集成电路技术上带来了一场革命。这种组合极大地提高了隔离能力,并使很少外部元件高达300 kW的逆变器具有安全、成本效益高的设计。

电源集成公司汽车栅极驱动产品营销高级总监MichaelHornkamp评论道:“碳化硅MOSFET技术为更小、更轻的汽车逆变系统打开了大门。开关速度和工作频率在增加;我们的低栅电阻值保持了开关效率,而我们的快速短路响应在发生故障时迅速保护系统。“

“此外,Scale-iDriver为功能安全设置了一个新的隔离鲁棒性标准;即使电源设备导致了灾难性的驱动器故障,Scale-iDriver的隔离仍然完好无损,确保底盘的任何部分都不会携带危及生命的高电压,”Hornkamp继续说道。

新的单通道SIC118xKQ栅极驱动器提供高达8A和适合标准栅发射极电压为+15V的SiCMOSFET,各种负电压范围为-3V至-15V。器件具有较高的外部磁场抗扰能力,并可在一个紧凑的ESOP封装中提供≥9.5mm的漏电和间隙,使用的材料具有最高的CTI水平(CTI=600/IEC 60112)。现在可以买到了,价格是5.39美元,每件10,000件。技术信息可从电源集成中获得网站.


(责任编辑:ioter)

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