close
当前位置: 物联网在线 > 资料下载 > 技术 > RFID >

RF屏蔽:消除干扰的艺术与科学

在每一个无线系统中,几乎每一个线变为向天线或接收器,以及伪信号他们无意中接收或发射会降低射频子系统的整体性能。良好的印刷电路板(PCB)设计和屏蔽技术可以大大有助于减少电磁/射频干扰(EMI),并提供可靠的系统很长的路要走。本文将探讨一些方法和现成的现成产品的确可以用来减少通过使用屏蔽层和接地层RF干扰,以避免与无线系统运行的干扰杂散信号。

EMI是基本上即由电路和电路河段的其它部分或通过传导或辐射路径的外部世界的一个部分发射的破坏性的电磁能量。这种能量可以电路性能,甚至,如果足够高,造成损害人体脑细胞或其他器官产生不利影响。因此,在任何射频设计的目的是为了减少发射的辐射来满足或停留下面的操作,安全,卫生规定的任何行业要求的水平。

在任何的今天的无线设备,电磁干扰来自两个主要来源 - RF前端并发送的信号,并且将内部数字电路这经常切换在千兆赫和更高的时钟频率。今天的设计者必须创建一个电路板有做工作的同时以最快的速度,以满足其性能目标,尽可能低的发射的辐射。

无论您的设计是手机,平板电脑,便携式计算机,或便携式someother的产品,良好的PCB布局,以保持电磁干扰降到最低的关键。善于利用接地层和布线等的寄生电容,最大限度地减少和接地环路朝那张减少EMI很长的路要走。

发射的辐射,由这两个差分和共模电流产生的,则沿着导电介质或通过辐射通过的空间。差模电流,流过同步这两个信号和功率分配循环,产生时变电磁场,并且在简单的一个或两个层多氯联苯,环被由数字信号形成了从一个设备转移到另一个没通过返回的配电痕迹装置。因此,本文的循环充当天线,拿起时变电磁场,它们创建了循环噪音。此外,所有的导电材料之间的寄生电容耦合的发生。即使外部电缆可以像天线。

较短的波长可以接近很多的EUT(被测设备),从而导致可能的腔体共振效应的物理尺寸。共振频率是哪里半整波长对应于屏蔽罩的尺寸的频率。浪潮是建立在封闭其节点(即零幅度)位于外壳的导电墙壁里面。这些结构表现为谐振腔。对于实施例,一个2英寸广​​场0.5金属外壳谐振在大约英寸12千兆赫的一阶模式。

即使在高频率的弱耦合可诱导合成极为强势振荡,然后可以情侣到机壳中的任何其他点或振荡可以辐射。空腔谐振的危险是,如果一个噪声源具有对应于一个共振点的频率分量,一大区域可在该频率产生由于由“Q因子”的乘法或放大效应。一种方法,以减少这种现象是通过引入损耗(C-衰减),以降低腔的“Q因子”。

屏蔽效能

一旦PCB设计已被优化为最小排放,设计过程的下一阶段是屏蔽板的关键部分,以防止排放物,或者防止从系统的其它部分排放影响敏感电路。除了金属屏蔽层做环绕关键电路,在垫片等材料的形式额外的屏蔽是经常用来有效地屏蔽之多整个机箱成为可能。屏蔽形成导电阻挡包围电气电路提供绝缘,防止EMI从“泄露”出来。虽然“理想的”盾就没有开口的密封容器传导,寻求一个解决方案是不是因为无论是容器具有输入和输出的内部实用,并且需要连接电源和地 - 所有whichwill“泄密”,除非额外措施采取的。

屏蔽可以是一个独立的解决方案,但它更具有成本效益当结合其他抑制技术使用:诸如接地,滤波,和,如前所述,适当的电路板设计,以减少环路面积。不幸的是,设计师通常会留下屏蔽作为最后的选择,因为屏蔽层可以安装一旦设计完成。然而,通过从设计过程的开始屏蔽掺入考虑,设计者可以提供一个更具成本效益的和更有效的一般的系统设计。
(责任编辑:Ondy)

下载的用户同时下载了...

采用纤巧型 3mm × 2mm 封装的超宽带 3GHz 至 20GHz 混频器

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双平衡混频器LTC5552,该器件...


具扩展频谱调制功能的17V、4MHz、双输出 3.5A 同步降压型稳压器降低了 EMI并采用紧凑型 3mm x 5mm QFN 封装

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步双输出降压...


TDK开发出车载以太网用共模滤波器ACT1210L系列

TDK株式会社开发出了业界最小的车载以太网用共模滤波器 ACT1210L系列(外形尺寸:L3.2×W2.5×T2.4mm),并将从2017年6月开...


TDK开发出铜箔层压型高导磁率磁性片IFM10M系列

TDK株式会社开发出了铜箔层压型高导磁率磁性片IFM10M系列,并将于2017年6月起开始量产。近年来,以智能手机为代表的...


采用 ThinSOT 或 3mm x 2mm DFN 封装的 低 IQ、60V 单片式升压 / SEPIC / 负输出转换器

LT8330 单片式 DC/DC 转换器采用扁平 6 引线 ThinSOT 或 8 引线 (3mm x 2mm) DFN 封装,可用来实现升压、SEPIC 或负输出拓扑。该器件提供 3V 至 40V 输入范围、内部 1A/60V 开关和 6µA 静态电流,符合了小型...


TDK集团推出创新型带触觉反馈和集成传感器功能的压电执行器

TDK 集团推出创新型带触觉反馈和集成传感器功能的压电执行器,新产品在加速度、力和响应 时间方面均具有无与伦比...


TDK集团推出第一款抗振性能达 60g 的铝电解电容器

TDK 集团推出第一款抗振性能达 60g 的铝电解电容器。该新一 代爱普科斯 (EPCOS) 电容器坚固耐用,其单个元件抗振强度...


TDK集团新近推出全新的超薄陶瓷基板CeraPad

TDK 集团新近推出全新的超薄陶瓷基板 CeraPad,其采用多层结构设计,并在其中集成了 ESD 保护功能,无需其它独立的...


TDK推出耐压更高的爱普科斯X2 EMI 抑制电容器

TDK集团最新推出耐压更高的爱普科斯 (EPCOS) MKP(金属化聚丙烯膜)X2 EMI 抑制电容器。相对于305Vac 常规X2电容器,新系...


TDK株式会社开发出了LC复合型EMI滤波器MEM1005PP系列

TDK株式会社开发出了LC复合型EMI滤波器MEM1005PP系列(外形尺寸:L1.0×W0.5×T0.35mm),并将于2017年3月开始量产。...